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1SS118中文资料

  • 大小:463.55KB
  • 厂家:SUNMATE/森美特
  • 描述:O = 200mA) Peak reverse voltage V RM Reverse voltage V R Peak forward current I FM Non-Repetitive peak forward surge current I FSM Average forward current I O Junction temperature Tj 175 C Storage temperature Tstg –65 to +175 C Note: Value at duration of 1m s Electrical Characteristics Forward voltage V F — — 1.0 V I F = 10mA Reverse current I R — — 0.1 mAV R = 50V Capacitance C — — 3.5 pF V R = 0V, f = 1MHz Reverse recovery time t rr — — 3.0 ns I F = 10mA, V R = 6V, Irr = 0.1I R , R L = 50W 0.079(2.0) MAX 0.020(0.52) TYP 0.165 (4.2) MAX 1.0 2(26.0) MIN. 1.0 2(26.0) MIN. DO-35(GLASS) Dimensions in millimeters SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE 1SS118 Features ! ! High average forward current. (I High reliability with glass seal. Mechanical Data Case: DO-35, glass case Polarity: Color band denotes cathode Weight: 0.004 ounces, 0.13 grams ! ! ! Unit 75 V 50 V 600 mA *4 A 200 mA Power dissipation Pd 500 mW Maximum Ratings T A = 25C unless otherwise specified Symbol

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更新时间:2022-12-31 06:20:41
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